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只是对之前BIOS中不甚熟悉的项目备忘。

以Phoenix - Award BIOS为例

• System BIOS Cacheable、Video RAM Cacheable、Video BIOS Cacheable：

  这三项是针对DOS状态下工作而作的优化，对Windows无效，因此可以关闭。

• PCI IDE BusMaster：

  总线主控模式（Bus Mastering），可以让总线上的设备相互之间实现直接通信，不经过CPU的干预，以进一步提高系统性能。

• Burst Mode：

  爆发模式，很多设备在此模式下都可以得到一定程度的性能提升，尤其是在两个硬件之间数据交换过于频繁时。建议打开，不过某些主板上打开该模式之后可能会出现系统稳定性下降的情况。

• APIC Mode：

  APIC即高级程序中断控制器，能让南北桥芯片通过更多的系统中断号（IRQ）来支配更多的硬件设备，使得IRQ的控制更具弹性，也让数据管理变得更加省时。

• Bank Interleave：

  bank交错，并非指一种物理通道并行传输方式，VIA芯片采用的这个技术的定义指的时芯片内的bank充电过程交错进行，进而将充电周期对内存执行效率的影响降到最低。根据SPD中的L-Bank信息来自动设置，一般情况默认为2-way。2-way与4-way Interleave值得就是2个bank或4个bank进行的交错预充电。可以设置为4-way，这对内存性能有很大提升，不过对其电气性能要求很高，需要根据实际情况来调节。

• CAS Latency：

  列地址选通脉冲潜伏期，也就是延迟。可能的其它描述为tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay，越小越好。

• Active to CMD(Trcd)：

  行寻址至列寻址延迟时间，可能的其它描述为RAS-to-CAS Delay、RAS to CAS Delay等等，越小性能越高。

• Active to Precharge(Tras)：

  行有效至行预充电时间，可能的其它描述为Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Active Time、Row Precharge Delay。该参数要多试验，并非一般所说的越小越好。具体要多试试几个参数才可以找到和系统适合的参数。

• Precharge to Active(Trp)：

  行预充电时间，可能的其它描述为RAS Precharge、RAS Precharge Time等，越小越好。

• Burst Length：

  突发长度，一般有4、8两个选项，设置为8性能更好。

• Command Rate：

  首命令延迟，可能的其它描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等，指内存在寻址过程中，对芯片选择完多少时间后可以发出寻址命令。越小越好，但是过短的命令将严重影响系统的稳定性。

• Parallel Port Mode：

  为兼容老式打印机，选择为ECP+EPP即可。

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